日本计划在东京奥运会上展示无人驾驶技术，展现了近年来汽车智能化的成果。随着5G技术与人工智能（ AI）的发展，车载通讯技术已慢慢从早期的娱乐影音播放以及导航系统，发展到现在的深度学习与车联网（ V2X），并朝着无人驾驶的目标前进。而实现此目标的关键因素正是半导体。目前，先进驾驶辅助系统（ADAS）是车载通讯中最普遍的应用之一，它包含不同的子功能主动式巡航控制、自动紧急煞车、盲点侦测以及驾驶人监控系统等。车辆制造商一直试着添加更多主动式安全保护，以达到无人驾驶的最终目标。因此，越来越多的半导体产商与车辆制造
近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力，能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间（包括那些依赖于极端紫外线（EUV）光刻技术的芯片）。eSL10的研发是始于最基本的构架，针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术，可提供高分辨率，高速检测功能，这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示：“利用单一的高能量电子
7月2日，SK海力士宣布开始量产超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.7GB），是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技术将8个16Gb DRAM垂直连接，其容量达到了16GB，是前一代HBM2容量的两倍以上。H
SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。 图1. SK海力士宣布开始量产超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.
6月6日，长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行，合肥长鑫与苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约，一致同意支持长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目建设。2019年国内存储芯片取得了两个突破——长江存储的3D闪存、合肥长鑫的DRAM内存双双量产，其中内存国产化的意义更重要一些，毕竟这个市场主要就是美日两大阵营主导，门槛太高。合肥长鑫的12英寸内存项目总计投资高达1500亿，去年底量产了1Xnm级别（具体大概是19nm）的内存芯片，可以供应DDR4
存储器大厂南亚科28日召开年度股东常会，会中董事长吴嘉昭对于近期的产业状况发表看法，指出2020年上半年DRAM市场的需求较2019年同期有小幅度的成长，其主要原因是受惠于异地工作、远端教育、视频会议等各项需求所致。至于，2020年下半年市况，吴嘉昭则是表示，因为各项不确定因素仍多，因此目前仍必须要持续的观察。吴嘉昭表示，2019年因中美贸易战导致的关税问题，使得供应链面临调整，加上全球经济放缓、英特尔处理器缺货等因素，导致DRAM需求减少，使得平均销货较2018年减少超过45%，也使得南亚科在2019年
三星电子一季度在全球DRAM市场的份额超过了40%，但销售额在这一季度有下滑。外媒的数据显示，一季度三星电子在全球DRAM市场的份额为44.1%，是第一大厂商，较第二大厂商SK海力士高出了近15个百分点，后者的市场份额为29.3%。虽然三星的市场份额超过了40%，但一季度三星DRAM的营收其实有下滑，较上一季度下滑3%。DRAM市场份额仅次于三星的SK海力士，一季度的销售额也下滑了4%，下滑幅度还高于三星。三星电子和SK海力士之后的第三大DRAM厂商是美光科技，其一季度的市场份额为20.8%，销售额下滑1
从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。图1.(a) DRAM存储单元；(b)单元晶体管中的栅诱导漏极泄漏电流(GIDL)；(c)位线接触(BLC) 与存储节点接触(SNC) 之间的电介质泄漏；(d) DRAM电容处的电介质泄漏。DRAM存储单元（图1 (a)）在电
据ZDnet报道，三星宣布，已成功将EUV技术应用于DRAM的生产中。
三星率先为DRAM芯片导入EUV：明年将用于DDR5/LPDDR5大规模量产
当前在芯片制造中最先进的EUV（极紫外光刻）工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。这家韩国巨头今日宣布，已经出货100万第一代10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组，并完成全球客户评估，这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。得益于EUV技术，可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤，并进一步提升产能。三星表示，将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV，明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计会使12
TrendForce：2019年第四季量增抵销价跌影响，DRAM产值较前季近持平
据IDC预测，2025年全球数据将有175 ZettaBytes的总量，如此惊人而又庞大的数据量，半导体存储器将具有极大的市场。半导体存储器分为易失存储器和非易失存储器两种，具体类型如下：“凛冬将至”：这两年的存储器市场2017年的存储器市场可以用火热来形容，三大存储器公司（三星、海力士、美光）的财报都非常喜人，SK海力士、美光的营收规模均成长近8成，而三星电子更是夺取了英特尔把持多年的全球半导体营收头把交椅。整体来说，2017年全球半导体市场规模比2016年成长22.2%，达4197.2亿美元，存储器的
最近的疫情危机给全球大多数电子产品的前景蒙上了阴影，智能手机Q1季度会是暴跌50%。不过内存厂商现在可以轻松下了，Q1季度开始就进入全球牛市，预计会连涨七个季度，也就是2020年底才可能稳下来。自从1月初的三星供电停电、东芝工厂起火之后，这两家公司纷纷表态对生产基本没影响，但是全球存储芯片的市场依然像是打了鸡血，内存及SSD硬盘的现货价应声而起，1月份就涨价高达30%。那这一波内存涨价要持续多久呢？UBS瑞银分析师Timothy Acuri日前发表报告评估了内存市场的发展趋势，他认为内存涨价将持续至少7个
美光科技近日宣布已交付全球首款量产的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并将率先搭载于即将上市的小米10智能手机。
Raj Talluri （美光科技移动产品事业部 高级副总裁兼总经理）1 内存和存储领域会出现哪些应用或技术热点数据爆发推动了各个技术领域对内存和存储的需求，而云和移动是当前内存和存储的最大需求来源。在移动领域，基于视频内容和游戏的需求不断增长，智能手机比以往需要更大的 DRAM ， 以 支持计算摄影、面部识别、增强现实等各种功能。根据客户的需求趋势判断，美光认为2020年，智能手机的平均容量将达到5GB的DRAM和120 GB的NAND。与此同时，5G网络的普及将刺激对DRAM和N
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [查看详细]
【白皮书】基于SoC FPGA的存储器系统中的纠错码V1.2(Error Correction Code in SoC FPGA-Based Memory Systems V1.2)海博网铁磁性铁磁示波器条柱显示铁磁共振线宽条子工程铁编花永福樱花园铁磁显示调整带
